O transistor é um componente eletrônico que revolucionou a indústria eletrônica a partir da década de 60. Ele é produzido através da dopagem de um semicondutor. O coeficiente de difusão do fósforo no silício é de 6,5 x 10^-13 cm²/s na temperatura de 1100°C. A fonte de fósforo fornece uma concentração de 10²⁰ átomos/cm³ e o tempo de difusão é 2 horas. Em qual profundidade a concentração do wafer de silício será de 10¹⁹ átomos/cm³, considerando que inicialmente o silício não contém fósforo. DADO; erf(z) = 0,9 quando z = 1,2.